Descripción:

Estos son transistores de efecto de campo de potencia de puerta de silicio con modo de mejora de canal N. Son MOSFET de potencia avanzados, diseñados, probados y garantizados para soportar un nivel específico de energía en el modo de operación de avalancha de ruptura. Todos estos MOSFET de potencia están diseñados para aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores, controladores de relés y controladores para transistores de conmutación bipolares de alta potencia que requieren alta velocidad y baja potencia de activación de puerta. Estos tipos pueden operarse directamente desde circuitos integrados.

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